教授

秩父重英

准教授

嶋紘平

ワイドギャップ半導体ナノ構造創成と時空間分解スペクトロスコピー

光子系（電磁波）と電子系（励起子）の機能を融合させる量子構造デバイス用半導体として、禁制帯幅に相当する波長が200nm 台の深紫外線から近赤外線まで広範囲をカバーし、環境にも人間生活にも優しいプラネットコンシャスなAlN，GaN，InN 等のⅢ族窒化物半導体やZnO，MgO等のⅡ族酸化物半導体、NiOやTiO₂ 等の金属酸化物半導体にスポットライトを当て、エピタキシャル結晶成長法によって原子層レベルで平坦な表面・界面を持つ半導体ナノ超薄膜や構造の形成を行います。また、それらメゾスコピック・ナノ構造のフェムト秒パルス集束電子線励起による時間・空間同時分解分光を行い、微細領域における励起子効果・量子効果（キャリアダイナミクスや点欠陥との相関など）の物理に迫ります。また、それらを用いた光・電子デバイス（紫外線・純青・純緑色半導体発光素子や光と励起子の連成波デバイス等）の形成を行います。

研究テーマ

• 環境に優しい（B,Al,Ga,In)Nおよび（Mg,Zn)O系ワイドバンドギャップ半導体微小共振器を用いた、励起子と光の相互作用に基づく新しいコヒーレント光源の研究
• フェムト秒レーザおよびフェムト秒電子線を用いた（B,Al,Ga,In)N および（Mg,Zn)O系ワイドバンドギャップ半導体量子ナノ構造の時間空間分解スペクトロスコピー
• 有機金属化学気相エピタキシーによる（B,Al,Ga,In)N 系量子ナノ構造形成と深紫外線発光デバイス形成
• （ Mg,Zn）O 系酸化物半導体のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーと機能性酸化物薄膜形成